IXKP24N60C5M
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IXYS IXKP24N60C5M

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型号

IXKP24N60C5M

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXKP24N60C5M

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP

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IXKP24N60C5M IXYS MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP

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IXKP24N60C5M详情

IXYS IXKP24N60C5M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    32 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    8.5A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    50 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    CoolMOS™

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    PURE TIN

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    34W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    165m Ω @ 10A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 790μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2000pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    52nC @ 10V

  • 上升时间

    5ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    5 ns

  • 连续放电电流(ID)

    8.5A

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.165Ohm

  • 漏源击穿电压

    600V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    522 mJ

  • 场效应管特性

    超级交界处

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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IXKP24N60C5M拓展信息

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