IXKP35N60C5备选型号: FCP11N60F

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 静态电流
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    35A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 18A, 10V
    3.9V @ 1.2mA
    2800pF @ 100V
    70nC @ 10V
    ±20V
    35A
    TO-220AB
    20V
    0.1Ohm
    600V
    800 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET™
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1490pF @ 25V
    52nC @ 10V
    ±30V
    11A
    TO-220AB
    30V
    -
    600V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    12 Weeks
    3
    1.8g
    e3
    通孔
    EAR99
    380MOhm
    Tin (Sn)
    600V
    11A
    125W
    100μA
    34 ns
    98ns
    56 ns
    5V
    600V
    5 V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    无铅
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