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首页 全部分类 IXKR40N60C vs STW60N65M5

IXKR40N60C备选型号: STW60N65M5

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  • 漏源击穿电压
  • 隔离电压
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXKR40N60C
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    38A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2001
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    70MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    280W
    3
    Single
    增强型MOSFET
    280W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 25A, 10V
    3.9V @ 3mA
    250nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    10 ns
    38A
    3.9V
    20V
    600V
    2.5kV
    超级交界处
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW60N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 650V 0.049 Ohm 46A Mdmesh V
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    46A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    59MOhm
    Matte Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    -
    3
    Single
    增强型MOSFET
    255W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    59m Ω @ 23A, 10V
    5V @ 250μA
    139nC @ 10V
    11ns
    ±25V
    16 ns
    46A
    4V
    25V
    650V
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    STW60N
    90 ns
    6810pF @ 100V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
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