IXYS IXKR40N60C

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2001

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

70MOhm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

280W

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

280W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 3mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

250nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

38A

阈值电压

3.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

600V

隔离电压

2.5kV

场效应管特性

超级交界处

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅