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首页 全部分类 IXKR47N60C5 vs IPP60R040C7XKSA1

IXKR47N60C5备选型号: IPP60R040C7XKSA1

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXKR47N60C5
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3 Tab) ISOPLUS 247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    47A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 44A, 10V
    3.5V @ 3mA
    6800pF @ 100V
    190nC @ 10V
    600V
    ±20V
    47A
    0.045Ohm
    600V
    超级交界处
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R040C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 24.9A, 10V
    4V @ 1.24mA
    4340pF @ 400V
    107nC @ 10V
    -
    ±20V
    50A
    0.04Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    无卤素
    TO-220AB
    600V
    211A
    249 mJ
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