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首页 全部分类 IXKR47N60C5 vs STY60NM60

IXKR47N60C5备选型号: STY60NM60

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  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXKR47N60C5
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3 Tab) ISOPLUS 247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    47A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 44A, 10V
    3.5V @ 3mA
    6800pF @ 100V
    190nC @ 10V
    600V
    ±20V
    47A
    0.045Ohm
    600V
    超级交界处
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STY60NM60
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3 Tab) Max247 Tube
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    60A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 30A, 10V
    5V @ 250μA
    7300pF @ 25V
    266nC @ 10V
    -
    ±30V
    60A
    0.055Ohm
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    600V
    60A
    STY60N
    Single
    560W
    55 ns
    95ns
    76 ns
    4V
    30V
    600V
    240A
    20.3mm
    5.9mm
    5.3mm
    无SVHC
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