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首页 全部分类 IXLF19N250A vs IXBX25N250

IXLF19N250A备选型号: IXBX25N250

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • IXYS
    IXLF19N250A
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 32A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
    38 Weeks
    通孔
    通孔
    i4-Pac™-5 (3 Leads)
    3
    SILICON
    2.5kV
    3.2V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2005
    e1
    yes
    活跃
    不适用
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
    2.5kV
    250W
    32A
    3
    Single
    250W
    ISOLATED
    Standard
    100 ns
    电源控制
    50ns
    N-CHANNEL
    2.5kV
    32A
    2500V
    150 ns
    3.9V @ 15V, 19A
    850 ns
    NPT
    142nC
    15mJ (on), 30mJ (off)
    20V
    8V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXBX25N250
    IXYS
    IGBT 2500V 55A 300W PLUS247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    2.5kV
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    -
    300W
    -
    3
    -
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    3.3V
    55A
    2500V
    694 ns
    3.3V @ 15V, 25A
    650 ns
    -
    103nC
    -
    20V
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    BIMOSFET™
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    300W
    1.6 μs
    180A
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