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IXTA05N100备选型号: FQB8N90CTM
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-26328 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON750mA Tc-55°C~150°C TJTube2008e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR9917MOhmMatte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET40WDRAINN-ChannelSWITCHING17 Ω @ 375mA, 10V4.5V @ 250μA260pF @ 25V7.8nC @ 10V19ns1000V±30V28 ns750mA30V0.75A1kV3A100 mJROHS3 Compliant无铅--------
MOSFET11 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON6.3A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)-鸥翼未说明not_compliant未说明-R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET-DRAINN-ChannelSWITCHING1.9 Ω @ 3.15A, 10V5V @ 250μA2080pF @ 25V45nC @ 10V110ns-±30V70 ns6.3A30V-900V25A850 mJROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1.31247gQFET®140 ns4.83mm10.67mm9.65mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB8N90CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET | 对比 |
| FCB290N80 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | 对比 |
 | STB6N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
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