IXTA110N055T7备选型号: BTS282ZE3180AATMA2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 供应商器件包装
- 质量
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 输出电压
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CBSILICON110A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMV™2006e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSFM-G6不合格Single增强型MOSFET230WDRAINN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 25A, 10V4V @ 100μA3080pF @ 25V67nC @ 10V30ns±20V24 ns110A112A0.007Ohm55V300A750 mJROHS3 Compliant------------------
- MOSFET N-Ch 49V 36A D2PAK-6表面贴装表面贴装TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA-80A Tc-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TEMPFET®2014--活跃1 (Unlimited)-----------Single---N-Channel-6.5mOhm @ 36A, 10V2V @ 240μA4800pF @ 25V232nC @ 10V37ns±20V36 ns80A--49V--ROHS3 Compliant18 WeeksTinPG-TO263-7-11.59999g175°C-40°C49V130 ns无卤素49V20V49V4.8nF温度传感二极管6.5mOhm6.5 mΩ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | MOSFET N-Ch 49V 36A D2PAK-6 | 对比 |
![]() | STH290N4F6-6AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 | 对比 |





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