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IXTA16N50P备选型号: STB14NM50N
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK28 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON16A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)雪崩 额定500V鸥翼16A4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING400m Ω @ 8A, 10V5.5V @ 250μA2250pF @ 25V43nC @ 10V28ns±30V25 ns16A30V0.4Ohm500V750 mJ无ROHS3 Compliant无铅-------------
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON12A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II-e3-活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - annealed--鸥翼-4R-PSSO-G2Dual增强型MOSFET90WDRAINN-ChannelSWITCHING320m Ω @ 6A, 10V4V @ 100μA816pF @ 50V27nC @ 10V9ns±25V32 ns12A25V-500V-无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)EAR99320mOhmSINGLE245STB14N10.2 ns3V48A4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB15N50 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB | 对比 |
| SPB16N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| STB14NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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