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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥35.496992
10
¥33.487726
100
¥31.592197
500
¥29.80396
1000
¥28.116945
IXTA16N50P详情
IXYS IXTA16N50P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
28 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
70 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PolarHV™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
电压 - 额定直流
500V
终端形式
鸥翼
额定电流
16A
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
300W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
400m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2250pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43nC @ 10V
上升时间
28ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
16A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.4Ohm
漏源击穿电压
500V
雪崩能量等级(Eas)
750 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXTA16N50P拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS










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