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IXTA32P05T备选型号: HUF75321S3S
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds28 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON32A Tc-55°C~150°C TJTubeTrenchP™2010e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR9939MOhmPURE TIN雪崩 额定鸥翼未说明unknown未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET83WDRAINP-ChannelSWITCHING39m Ω @ 500mA, 10V4.5V @ 250μA1975pF @ 25V46nC @ 10V50V±15V32A15V-50V110A200 mJROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-35A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2002--Obsolete1 (Unlimited)------------Single-93W-N-Channel-34mOhm @ 35A, 10V4V @ 250μA680pF @ 25V44nC @ 20V55V±20V35A20V55V--符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)175°C-55°C55V35A55ns66 ns680pF34mOhm34 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SJ661-DL-1E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES | 对比 |
| HUFA75321S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK | 对比 |
| HUF75321S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK | 对比 |
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