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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥18.205534
10
¥17.175034
100
¥16.202857
500
¥15.285717
1000
¥14.420488
ON Semiconductor 2SJ661-DL-1E
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- 对比
2SJ661-DL-1E
1807-2SJ661-DL-1E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SJ661-DL-1E详情
ON Semiconductor 2SJ661-DL-1E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
38A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Power Dissipation (Max)
1.65W Ta 65W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
Reach合规守则
not_compliant
通道数量
1
功率耗散
1.65W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
39m Ω @ 19A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4360pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
38A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-4V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SJ661-DL-1E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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