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IXTA36N20T备选型号: FDB2552-F085
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- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
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MOSFET N-CH 200V 36A TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB36A TcTube活跃1 (Unlimited)N-Channel200V36AROHS3 Compliant----------------------
MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB150W TcTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)N-Channel-37AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks31.31247gAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®-55°C~175°C TJyesSingle增强型MOSFET150W12 ns36m Ω @ 16A, 10V4V @ 250μA2800pF @ 25V51nC @ 10V29ns±20V29 ns20V150V无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF75842S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK | 对比 |
| FDB2552-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET | 对比 |
 | IRFS41N15DTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | 对比 |
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