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IXTA36N30T备选型号: IPB17N25S3100ATMA1
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- 功率耗散
- 接通延迟时间
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- 无卤素
- 上升时间
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- 下降时间（典型值）
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- 输入电容
- 最大结点温度（Tj）
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB36A TcTubePolarHT™活跃1 (Unlimited)300WN-Channel110m Ω @ 500mA, 10V2250pF @ 25V70nC @ 10V300V36AROHS3 Compliant---------------------------
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB17A TcTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™活跃1 (Unlimited)-N-Channel100mOhm @ 17A, 10V1500pF @ 25V19nC @ 10V250V17AROHS3 Compliant14 Weeks3PG-TO263-3-2-55°C~175°C TJ2012175°C-55°C1Single107W4.4 ns4V @ 54μA无卤素3.7ns±20V1.2 ns20V250V250V1.133nF175°C85mOhm100 mΩ4.7mm10mm9.25mm含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB17N25S3100ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
 | FQB14N30TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK | 对比 |
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