IXTA50N20P备选型号: FDB2710
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- Reach合规守则
- 额定电流
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 200V 50A TO-26328 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON50A Tc-55°C~175°C TJTubePolarHT™2008e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼未说明未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET360WDRAINN-ChannelSWITCHING60m Ω @ 50A, 10V5V @ 250μA2720pF @ 25V70nC @ 10V35ns±20V30 ns50A20V0.06Ohm200V120A1000 mJROHS3 Compliant-----------------
- N-Channel 250 V 42.5 mohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-38 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON50A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2013e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-鸥翼未说明未说明--不合格Single增强型MOSFET260WDRAINN-Channel-42.5m Ω @ 25A, 10V5V @ 250μA7280pF @ 25V101nC @ 10V252ns±30V154 ns50A30V-250V--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 6 days ago)21.31247gSMD/SMT42.5MOhm250Vnot_compliant50A80 ns4V250V4 V4.83mm10.67mm11.33mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDB2710 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N-Channel 250 V 42.5 mohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3 | 对比 |
![]() | IPB123N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | FDB2614 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK | 对比 |





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