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IXTA60N20T备选型号: AUIRFS4127
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- 操作温度
- 功率耗散
- 栅极至源极电压(Vgs)
MOSFET N-CH 200V 60A TO-26330 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON60A TcTubeTrench™2010e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼not_compliant3R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 30A, 10V5V @ 250μA4530pF @ 25V73nC @ 10V200V±20V60ATO-263AA0.04Ohm150A200V700 mJROHS3 Compliant----
MOSFET NCH 200V 72A D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON72A TcTubeAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®2015-活跃1 (Unlimited)2EAR99-FAST SWITCHING, ULTRA-LOW RESISTANCESINGLE鸥翼--R-PSSO-G2-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 44A, 10V5V @ 250μA5380pF @ 50V150nC @ 10V200V±20V72A-0.022Ohm-200V250 mJROHS3 Compliant3-55°C~175°C TJ375mW20V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB45N15V2TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS4127 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET NCH 200V 72A D2PAK | 对比 |
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