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IXTA80N10T备选型号: IPB083N10N3GATMA1
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 100V 80A TO-26328 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON230W TcTrenchMV™2009Tube-55°C~175°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET230WDRAINN-ChannelSWITCHING14m Ω @ 25A, 10V5V @ 100μA3040pF @ 25V60nC @ 10V54ns±20V48 ns80A20V100V220A400 mJ无ROHS3 Compliant无铅-----------
IPB083N10N3GXT13 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON80A TcOptiMOS™2008Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-鸥翼4R-PSSO-G2-增强型MOSFET125WDRAINN-ChannelSWITCHING8.3m Ω @ 73A, 10V3.5V @ 75μA3980pF @ 50V55nC @ 10V42ns±20V8 ns80A20V----ROHS3 Compliant含铅3SINGLE未说明not_compliant未说明不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE18 ns无卤素100V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB34P10TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Transistor: P-MOSFET; unipolar; 100V; 23.5A; 155W; D2PAK; QFET® | 对比 |
| IPB083N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IPB083N10N3GXT | 对比 |
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