IXYS IXTA80N10T

工厂交货时间

28 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

230W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

系列

TrenchMV™

已出版

2009

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

230W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3040pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

上升时间

54ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

48 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅