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首页 全部分类 IXTE250N10 vs HGT1N30N60A4D

IXTE250N10备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 额定电流
  • 配置
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • 无铅
  • IXYS
    IXTE250N10
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 100V 250A 3-Pin(3 Tab) ISOPLUS247
    底座安装
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    3
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    730W
    N-Channel
    100V
    250A
    100V
    5mOhm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    225W
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    600V
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    600V
    255W
    96A
    Single
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
    无铅
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比