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IXTF200N10T备选型号: STP110N10F7
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-528 Weeks通孔通孔i4-Pac™-55SILICON90A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMV™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定SINGLE未说明未说明5R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET200WISOLATEDN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 50A, 10V4.5V @ 250μA9400pF @ 25V152nC @ 10V31ns±30V34 ns90A0.007Ohm100VROHS3 Compliant-----------
MOSFET N CH 100V 110A TO-220-通孔通孔TO-220-33-110A Tc-55°C~175°C TJTubeDeepGATE™, STripFET™ VII---活跃1 (Unlimited)-EAR99----------150W-N-Channel-7m Ω @ 55A, 10V4V @ 250μA5500pF @ 50V60nC @ 10V-±20V-110A-100VROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)7mOhmSTP110Single25 ns20V15.75mm10.4mm4.6mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP110N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 100V 110A TO-220 | 对比 |
 | IPI100N10S305AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
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