IXYS IXTF200N10T

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-5

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

156W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchMV™

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

152nC @ 10V

上升时间

31ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

34 ns

连续放电电流(ID)

90A

漏极-源极导通最大电阻

0.007Ohm

漏源击穿电压

100V

RoHS状态

ROHS3 Compliant