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首页 全部分类 IXTH12N100L vs STW11NK90Z

IXTH12N100L备选型号: STW11NK90Z

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH12N100L
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3 Ω @ 500mA, 20V
    5V @ 250μA
    2500pF @ 25V
    155nC @ 20V
    55ns
    1000V
    ±30V
    65 ns
    12A
    TO-247AD
    30V
    1kV
    25A
    1500 mJ
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW11NK90Z
    STMicroelectronics
    MOSFET N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    9.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    HIGH VOLTAGE
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    -
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    980m Ω @ 4.6A, 10V
    4.5V @ 100μA
    3000pF @ 25V
    115nC @ 10V
    19ns
    -
    ±30V
    50 ns
    9.2A
    TO-247AC
    30V
    900V
    -
    400 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    SuperMESH™
    EAR99
    STW11N
    3.75V
    0.98Ohm
    无SVHC
    无
    无铅
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