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首页 全部分类 IXTH12N100L vs STW13NK100Z

IXTH12N100L备选型号: STW13NK100Z

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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH12N100L
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3 Ω @ 500mA, 20V
    5V @ 250μA
    2500pF @ 25V
    155nC @ 20V
    55ns
    1000V
    ±30V
    65 ns
    12A
    TO-247AD
    30V
    1kV
    25A
    1500 mJ
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW13NK100Z
    STMicroelectronics
    N-Channel 1 kV 0.7 O 350 W Zener Protected SuperMESH Power MosFet - TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    350W
    -
    45 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    700m Ω @ 6.5A, 10V
    4.5V @ 150μA
    6000pF @ 25V
    266nC @ 10V
    35ns
    1000V
    ±30V
    45 ns
    13A
    TO-247AC
    30V
    1kV
    52A
    700 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    9.071847g
    SuperMESH™
    EAR99
    700mOhm
    1kV
    13A
    STW13N
    3.75V
    无SVHC
    无
    无铅
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