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IXTH12N65X2备选型号: TK14N65W,S1F
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- 场效应管类型
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 漏源击穿电压
- 输入电容
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MOSFET N-CH 650V 12A TO-24715 Weeks通孔通孔TO-247-312A Tc-55°C~150°C TJTube2015活跃1 (Unlimited)EAR99未说明not_compliant未说明N-Channel300m Ω @ 6A, 10V5V @ 250μA1100pF @ 25V17nC @ 10V650V±30V12AROHS3 Compliant-----------------
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-22016 Weeks通孔通孔TO-247-313.7A Ta150°C TJTube2014活跃1 (Unlimited)----N-Channel250mOhm @ 6.9A, 10V3.5V @ 690μA1300pF @ 300V35nC @ 10V650V±30V13.7A符合RoHS标准3TO-24738.000013gDTMOSIV150°C-55°C1Single60 ns20ns7 ns30V650V1.3nF220mOhm250 mΩ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW19NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
 | STW18N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
| TK14N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 | 对比 |
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