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首页 全部分类 IXTH1N200P3 vs IRFP150NPBF

IXTH1N200P3备选型号: IRFP150NPBF

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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH1N200P3
    IXYS
    MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    40 Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 250μA
    646pF @ 25V
    23.5nC @ 10V
    2000V
    ±20V
    1A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP150NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    36m Ω @ 23A, 10V
    4V @ 250μA
    1900pF @ 25V
    110nC @ 10V
    -
    ±20V
    42A
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    HEXFET®
    3
    通孔
    EAR99
    36mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    100V
    42A
    5.45mm
    1
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    11 ns
    SWITCHING
    56ns
    40 ns
    4V
    TO-247AC
    20V
    100V
    100V
    420 mJ
    270 ns
    175°C
    4 V
    24.99mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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