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IXTH1N200P3备选型号: STW12N150K5

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时间@峰值回流温度-最大值(s)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
生命周期状态
系列
ECCN 代码
基本部件号

IXTH1N200P3

IXYS

MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247

8 Weeks
通孔
通孔
TO-247-3
1A Tc
-55°C~150°C TJ
Tube
2014
活跃
1 (Unlimited)
未说明
未说明
N-Channel
40 Ω @ 500mA, 10V
4V @ 250μA
646pF @ 25V
23.5nC @ 10V
2000V
±20V
1A
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
STW12N150K5

STMicroelectronics

Single N-Channel 1500 V 1.9 Ohm 47 nC MDmesh? K5 Power MOSFET - LFPAK-4

17 Weeks
通孔
通孔
TO-247-3
7A Tc
-55°C~150°C TJ
Tube
-
活跃
1 (Unlimited)
未说明
未说明
N-Channel
1.9 Ω @ 3.5A, 10V
5V @ 100μA
1360pF @ 100V
47nC @ 10V
1500V
±30V
7A
ROHS3 Compliant
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
MDmesh™ K5
EAR99
STW12N
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