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IXTH26N60P备选型号: TK31N60W5,S1VF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- ECCN 代码
- 通道数量
- 接通延迟时间
MOSFET N-CH 600V 26A TO-24728 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON26A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006e1yes活跃1 (Unlimited)3270MOhmTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定600V26A3Single增强型MOSFET460WDRAINN-ChannelSWITCHING270m Ω @ 500mA, 10V5V @ 250μA4150pF @ 25V72nC @ 10V27ns±30V21 ns26ATO-247AD30V600V65A无ROHS3 Compliant无铅----
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-24716 Weeks通孔通孔TO-247-33-30.8A Ta150°C TJTubeDTMOSIV2014--活跃1 (Unlimited)-------Single---N-Channel-99m Ω @ 15.4A, 10V4.5V @ 1.5mA3000pF @ 300V105nC @ 10V80ns±30V8.5 ns30.8A-30V600V-无符合RoHS标准-38.000013gEAR991120 ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TK31N60W5,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 | 对比 |
| TK31N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V) | 对比 |
 | FCH130N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET SuperFET2 600V, 130mohm | 对比 |
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