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IXTH30N60L2备选型号: STW34NM60N
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 电阻
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 30A TO-24728 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON30A Tc-55°C~150°C TJTubeLinear L2™2001e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET540WDRAINN-ChannelSWITCHING240m Ω @ 15A, 10V4.5V @ 250μA10700pF @ 25V335nC @ 10V±20V30A2.5V0.24Ohm600V80A2000 mJ2.5 V无SVHCROHS3 Compliant---------------
MOSFET N-CH 600V 29A TO-24716 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON29A Tc150°C TJTubeMDmesh™ II-e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99--225-3-Single增强型MOSFET210W-N-ChannelSWITCHING105m Ω @ 14.5A, 10V4V @ 250μA2722pF @ 100V80nC @ 10V±25V29A3V-----无SVHCROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)Tin105MOhmSTW34N17 ns34ns600V70 ns25V600V20.15mm15.75mm5.15mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247 | 对比 |
| STW34NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 | 对比 |
 | IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | 对比 |
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