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首页 全部分类 IXTH50N30 vs IPW65R048CFDAFKSA1

IXTH50N30备选型号: IPW65R048CFDAFKSA1

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH50N30
    IXYS
    MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    3
    R-PSIP-T3
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 250μA
    4400pF @ 25V
    165nC @ 10V
    33ns
    ±30V
    17 ns
    50A
    TO-247AD
    20V
    0.065Ohm
    300V
    200A
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R048CFDAFKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    63.3A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    增强型MOSFET
    500W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    48m Ω @ 29.4A, 10V
    4.5V @ 2.9mA
    7440pF @ 100V
    270nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    4 ns
    63.3A
    -
    20V
    0.048Ohm
    -
    228A
    无
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    22 ns
    650V
    无铅
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