STMicroelectronics STW56N60M2
- 收藏
- 对比
STW56N60M2
2381-STW56N60M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 600V 52A TO247
--最小包装量--
STW56N60M2详情
STMicroelectronics STW56N60M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
52A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
350W Tc
Turn Off Delay Time
119 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ M2
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STW56N
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
350W
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
55m Ω @ 26A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3750pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
91nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
52A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
600V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
24.45mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STW56N60M2拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics










哦! 它是空的。