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首页 全部分类 IXTH60N15 vs FCH041N60F

IXTH60N15备选型号: FCH041N60F

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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 接通延迟时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH60N15
    IXYS
    MOSFET N-CH 150V 60A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    275W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    33m Ω @ 15A, 10V
    4V @ 250μA
    3000pF @ 25V
    110nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    18 ns
    60A
    TO-247AD
    20V
    150V
    240A
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH041N60F
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel MOSFET, FRFET
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    76A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    595W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    41m Ω @ 38A, 10V
    5V @ 250μA
    14365pF @ 100V
    360nC @ 10V
    66ns
    ±20V
    53 ns
    76A
    TO-247AB
    20V
    600V
    228A
    2025 mJ
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    15 Weeks
    Tin
    6.39g
    SuperFET® II
    e3
    63 ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无
    无铅
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