Infineon Technologies IRFP4321PBF
- 收藏
- 对比
IRFP4321PBF
1211-IRFP4321PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC
--最小包装量--
IRFP4321PBF详情
Infineon Technologies IRFP4321PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-247AC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
78A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
310W Tc
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
通孔
电阻
15.5MOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
150V
额定电流
78A
元素配置
Single
功率耗散
310mW
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15.5mOhm @ 33A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4460pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110nC @ 10V
上升时间
60ns
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
78A
阈值电压
5V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
150V
双电源电压
150V
输入电容
4.46nF
恢复时间
130 ns
漏源电阻
15.5mOhm
最大rds
15.5 mΩ
栅源电压
5 V
高度
20.3mm
长度
15.875mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFP4321PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。