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首页 全部分类 IXTH68P20T vs STW90NF20

IXTH68P20T备选型号: STW90NF20

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH68P20T
    IXYS
    MOSFET P-CH 200V 68A TO-247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    68A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 34A, 10V
    4V @ 250μA
    33400pF @ 25V
    380nC @ 10V
    200V
    ±15V
    68A
    TO-247AD
    0.055Ohm
    200A
    200V
    2500 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW90NF20
    STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 200V, 83A STripFET Mosfet
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    83A Tc
    -50°C~150°C TJ
    Tube
    STripFET™
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    23m Ω @ 45A, 10V
    4V @ 250μA
    5736pF @ 25V
    164nC @ 10V
    -
    ±20V
    83A
    TO-247AD
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    23mOhm
    Tin (Sn)
    STW90N
    Single
    300W
    24 ns
    138ns
    142 ns
    20V
    200V
    无
    无铅
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