您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXTH6N50D2 vs FCH104N60F

IXTH6N50D2备选型号: FCH104N60F

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTH6N50D2
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 6A TO247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    UL 认证
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    N-Channel
    AMPLIFIER
    500m Ω @ 3A, 0V
    2800pF @ 25V
    96nC @ 5V
    500V
    ±20V
    6A
    0.5Ohm
    耗尽模式
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH104N60F
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    37A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    104m Ω @ 18.5A, 10V
    5950pF @ 100V
    139nC @ 10V
    600V
    ±20V
    37A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    3
    6.39g
    HiPerFET™, Polar™
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    357W
    34 ns
    5V @ 250μA
    58ns
    20 ns
    TO-247AB
    5V
    650V
    809 mJ
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FCH104N60F FCH104N60F ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 37A TO-247 对比
STW18N60M2 STW18N60M2 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 对比