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首页 全部分类 IXTK110N20L2 vs 2STA1943

IXTK110N20L2备选型号: 2STA1943

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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最大功率耗散
  • 频率
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXTK110N20L2
    IXYS
    N-Channel 200 V 110 A 24 mO Through Hole Linear L2 Power Mosfet - TO-264AA
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Linear L2™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    960W
    DRAIN
    N-Channel
    AMPLIFIER
    24m Ω @ 55A, 10V
    4.5V @ 3mA
    23000pF @ 25V
    500nC @ 10V
    200V
    ±20V
    110A
    0.024Ohm
    275A
    200V
    5000 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • STMicroelectronics
    2STA1943
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS 2STA1943Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 30 MHz, 150 W, 8 A, 80
    -
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    230V
    150°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    -
    Obsolete
    不适用
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    150W
    -
    -
    AMPLIFIER
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    3
    3V
    150W
    30MHz
    2STA
    Single
    30MHz
    PNP
    PNP
    230V
    15A
    80 @ 1A 5V
    5μA ICBO
    3V @ 800mA, 8A
    30MHz
    230V
    5V
    26.4mm
    20.2mm
    5.2mm
    无SVHC
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