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首页 全部分类 IXTK110N20L2 vs NJL1302DG

IXTK110N20L2备选型号: NJL1302DG

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  • 配置
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 极性
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXTK110N20L2
    IXYS
    N-Channel 200 V 110 A 24 mO Through Hole Linear L2 Power Mosfet - TO-264AA
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Linear L2™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    960W
    DRAIN
    N-Channel
    AMPLIFIER
    24m Ω @ 55A, 10V
    4.5V @ 3mA
    23000pF @ 25V
    500nC @ 10V
    200V
    ±20V
    110A
    0.024Ohm
    275A
    200V
    5000 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NJL1302DG
    ON Semiconductor
    Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-5
    SILICON
    260V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    5
    -
    -
    -
    200W
    -
    -
    AMPLIFIER
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    5
    3V
    -260V
    200W
    260
    -15A
    30MHz
    40
    PNP
    Single
    30MHz
    PNP + Diode (Isolated)
    260V
    15A
    75 @ 5A 5V
    50μA ICBO
    3V @ 1A, 10A
    30MHz
    260V
    5V
    25.98mm
    19.89mm
    4.89mm
    无SVHC
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