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首页 全部分类 IXTK17N120L vs 2SC5200OTU

IXTK17N120L备选型号: 2SC5200OTU

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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 频率
  • 基本部件号
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTK17N120L
    IXYS
    MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    900MOhm
    锡银铜
    雪崩 额定
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    700W
    DRAIN
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 8.5A, 20V
    5V @ 250μA
    8300pF @ 25V
    155nC @ 15V
    39ns
    1200V
    ±30V
    63 ns
    17A
    30V
    1.2kV
    2500 mJ
    26.16mm
    19.96mm
    5.13mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SC5200OTU
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3 Tab) TO-264 Tube
    2 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    250V
    -50°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    150W
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    Tin
    6.756g
    EAR99
    150W
    30MHz
    2SC5200
    30MHz
    NPN
    NPN
    250V
    17A
    80 @ 1A 5V
    5μA ICBO
    3V @ 800mA, 8A
    30MHz
    250V
    5V
    无SVHC
    无
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NJL1302DG NJL1302DG ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-264-5 Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V 对比