IXYS IXTK17N120L

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700W Tc

Turn Off Delay Time

75 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

900MOhm

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 8.5A, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

155nC @ 15V

上升时间

39ns

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

63 ns

连续放电电流(ID)

17A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

1.2kV

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

高度

26.16mm

长度

19.96mm

宽度

5.13mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅