IXTK90P20P备选型号: 2STA1943
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最大功率耗散
- 频率
- 基本部件号
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3 Tab) TO-26428 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON90A Tc-55°C~150°C TJTubePolarP™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定3R-PSFM-T3Single增强型MOSFET890WDRAINP-ChannelSWITCHING44m Ω @ 500mA, 10V4V @ 1mA12000pF @ 25V205nC @ 10V200V±20V90A20V0.044Ohm-200V270A3500 mJ无ROHS3 Compliant无铅---------------------
- STMICROELECTRONICS 2STA1943Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 30 MHz, 150 W, 8 A, 80-通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON230V150°C TJTube----Obsolete不适用3EAR99--3-Single-150W--AMPLIFIER------------无ROHS3 Compliant无铅Tin33V150W30MHz2STA30MHzPNPPNP230V15A80 @ 1A 5V5μA ICBO3V @ 800mA, 8A30MHz230V5V26.4mm20.2mm5.2mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGL40N120ANDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3 Tab) TO-264 Rail | 对比 | |
![]() | 2STA1943 | STMicroelectronics | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-264-3, TO-264AA | STMICROELECTRONICS 2STA1943Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 30 MHz, 150 W, 8 A, 80 | 对比 |
| NJL1302DG | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-264-5 | Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V | 对比 |




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