您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXTK90P20P vs FGL40N120ANDTU

IXTK90P20P备选型号: FGL40N120ANDTU

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXTK90P20P
    IXYS
    Trans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3 Tab) TO-264
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarP™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    890W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    44m Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 1mA
    12000pF @ 25V
    205nC @ 10V
    200V
    ±20V
    90A
    20V
    0.044Ohm
    -200V
    270A
    3500 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGL40N120ANDTU
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3 Tab) TO-264 Rail
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    500W
    -
    -
    电源控制
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    3
    6.756g
    3.15V
    8541.29.00.95
    1.2kV
    500W
    64A
    Standard
    15 ns
    20ns
    N-CHANNEL
    1.2kV
    64A
    112 ns
    1200V
    45 ns
    3.2V @ 15V, 40A
    150°C
    64A
    165 ns
    NPT
    220nC
    160A
    15ns/110ns
    2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
    29mm
    20mm
    5mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FGL40N120ANDTU FGL40N120ANDTU ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-264-3, TO-264AA Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3 Tab) TO-264 Rail 对比
2STA1943 2STA1943 STMicroelectronics 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-264-3, TO-264AA STMICROELECTRONICS 2STA1943Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 30 MHz, 150 W, 8 A, 80 对比
NJL1302DG NJL1302DG ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-264-5 Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V 对比