我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IXTK90P20P备选型号: FDL100N50F
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3 Tab) TO-26428 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON90A Tc-55°C~150°C TJTubePolarP™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定3R-PSFM-T3Single增强型MOSFET890WDRAINP-ChannelSWITCHING44m Ω @ 500mA, 10V4V @ 1mA12000pF @ 25V205nC @ 10V200V±20V90A20V0.044Ohm-200V270A3500 mJ无ROHS3 Compliant无铅----------------
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-264AA Tube8 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON100A Tc-55°C~150°C TJTubeUniFET™2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)---Single增强型MOSFET2.5kW-N-ChannelSWITCHING55m Ω @ 50A, 10V5V @ 250μA12000pF @ 25V238nC @ 10V-±30V100A30V0.055Ohm500V400A5000 mJ-ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)36.756g26030不合格163 ns186ns105 ns3V150°C29mm20mm5mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGL40N120ANDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3 Tab) TO-264 Rail | 对比 |
 | 2STA1943 | STMicroelectronics | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-264-3, TO-264AA | STMICROELECTRONICS 2STA1943Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 30 MHz, 150 W, 8 A, 80 | 对比 |
 | NJL1302DG | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-264-5 | Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V | 对比 |
哦! 它是空的。