IXTL2X180N10T备选型号: IRFP4310ZPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电阻
- 元素配置
- 接通延迟时间
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 100V 100A 5-Pin ISOPLUS i5-Pac30 Weeks通孔通孔ISOPLUSi5-Pak™5SILICON2-55°C~175°C TJTubeTrench™2012yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定150WSINGLE未说明未说明5不合格COMPLEX增强型MOSFET150WISOLATED2 N-Channel (Dual)SWITCHING7.4m Ω @ 50A, 10V4.5V @ 250μA6900pF @ 25V151nC @ 10V54ns100V31 ns100A0.0074Ohm100VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant无铅-----------------
- Single N-Channel 100 V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC12 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON120A Tc-55°C~175°C TJBulkHEXFET®2004-活跃1 (Unlimited)3EAR99--------增强型MOSFET280WDRAINN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6860pF @ 50V170nC @ 10V60ns-57 ns134A-100V--ROHS3 Compliant无铅通孔6MOhmSingle20 ns±20V4VTO-247AC20V560A100V40 ns4 V20.7mm15.87mm5.3086mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFP4310ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Single N-Channel 100 V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC | 对比 |
![]() | IRFB4310PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB | 对比 |
![]() | IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB | 对比 |





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