IXYS IXTL2X180N10T

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUSi5-Pak™

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

42 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

Trench™

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

150W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

资历状况

不合格

配置

COMPLEX

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.4m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

151nC @ 10V

上升时间

54ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

31 ns

连续放电电流(ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0074Ohm

漏源击穿电压

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅