IXTN40P50P备选型号: ESM3030DV
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 极性
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- VCEsat-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 500V 40A SOT22728 Weeks底座安装底座安装SOT-227-4, miniBLOCSILICON40A Tc-55°C~150°C TJTubePolarP™2013yes活跃1 (Unlimited)4NICKELAVALANCHE RATED, UL RECOGNIZEDUPPERUNSPECIFIED未说明unknown未说明4R-PUFM-X4不合格Single增强型MOSFET890WISOLATEDP-ChannelSWITCHING230m Ω @ 500mA, 10V4V @ 1mA11500pF @ 25V205nC @ 10V500V±20V40A20V0.23Ohm-500V120A3500 mJROHS3 Compliant无铅---------------------
- TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP-Chassis Mount, Panel, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOCSILICON300V150°C TJTube---Obsolete1 (Unlimited)4Nickel (Ni)-UPPERUNSPECIFIED---4--Single-225WISOLATED-SWITCHING------------ROHS3 Compliant无铅41.8VEAR99300V225W100AESM3030NPNNPN - Darlington300V100A300 @ 85A 5V1.5V @ 2.4A, 85A7V2.2 V600ns9.1mm38.2mm25.4mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HGT1N30N60A4D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | SOT-227-4, miniBLOC | Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail | 对比 |




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