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首页 全部分类 IXTN46N50L vs HGT1N30N60A4D

IXTN46N50L备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 宽度
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 配置
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • IXYS
    IXTN46N50L
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
    28 Weeks
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    46A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    160mOhm
    NICKEL
    雪崩 额定
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    增强型MOSFET
    700W
    ISOLATED
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 500mA, 20V
    6V @ 250μA
    7000pF @ 25V
    260nC @ 15V
    50ns
    ±30V
    42 ns
    46A
    30V
    500V
    9.6mm
    38.2mm
    25.07mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    -
    600V
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    225W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2.7V
    600V
    255W
    96A
    Single
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
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HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比