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首页 全部分类 IXTN550N055T2 vs HGT1N30N60A4D

IXTN550N055T2备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 输出电压
  • 配置
  • 电源电流
  • 操作模式
  • 输出电流
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 驱动器数量
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • 无铅
  • IXYS
    IXTN550N055T2
    IXYS
    MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
    17 Weeks
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    底座安装
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GigaMOS™, TrenchT2™
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Nickel (Ni)
    UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    R-PUFM-X4
    不合格
    55V
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    200A
    增强型MOSFET
    550A
    ISOLATED
    45 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 250μA
    40000pF @ 25V
    595nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    230 ns
    550A
    3000 mJ
    1
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    -
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    Chassis Mount, Screw
    -
    600V
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    4
    2.7V
    600V
    255W
    96A
    225W
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
    无铅
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HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比