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首页 全部分类 IXTN90P20P vs HGT1N30N60A4D

IXTN90P20P备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • 无铅
  • IXYS
    IXTN90P20P
    IXYS
    MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
    28 Weeks
    SOT-227-4, miniBLOC
    底座安装
    底座安装
    38.000013g
    SILICON
    890W Tc
    PolarP™
    2012
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Nickel (Ni)
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    4
    R-PUFM-X4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    P-Channel
    SWITCHING
    44m Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 1mA
    12000pF @ 25V
    205nC @ 10V
    200V
    ±20V
    90A
    0.044Ohm
    270A
    200V
    3500 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    -
    SOT-227-4, miniBLOC
    底座安装
    Chassis Mount, Screw
    -
    -
    600V
    -
    -
    -
    -55°C~150°C TJ
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
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    -
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    -
    Single
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    4
    2.7V
    600V
    255W
    96A
    225W
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
    无铅
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HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比