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首页 全部分类 IXTP18P10T vs FQPF22P10

IXTP18P10T备选型号: FQPF22P10

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTP18P10T
    IXYS
    MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 9A, 10V
    4.5V @ 250μA
    2100pF @ 25V
    39nC @ 10V
    100V
    ±15V
    18A
    TO-220AB
    0.12Ohm
    60A
    100V
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF22P10
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    13.2A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2002
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    260
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    P-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 6.6A, 10V
    4V @ 250μA
    1500pF @ 25V
    50nC @ 10V
    100V
    ±30V
    13.2A
    TO-220AB
    -
    52.8A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    2.27g
    e3
    Tin (Sn)
    -100V
    -13.2A
    Single
    45W
    4.8 ns
    170ns
    110 ns
    30V
    -100V
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无
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