IXYS IXTP18P10T

工厂交货时间

24 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

已出版

2012

系列

TrenchP™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±15V

连续放电电流(ID)

18A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.12Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

unknown

无铅

无铅